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发布时间:2020-06-29 16:14:13
磁珠主要用于***电磁干扰差模噪声。它们的DC阻抗不大,但在高频时阻抗很高。一般来说,600R是指在100兆赫兹测试频率下的阻抗值。
磁珠的选择应遵循两个方面:一是集成运算放大器中的噪声干扰;第二个是要通过的电流量。
为了大致了解噪声的频率和强度,不同磁珠的频率阻抗曲线是不同的,应选择在噪声中心频率处磁珠阻抗较高的类型。噪声干扰大的应该有较高的阻抗,引线磁珠报价,但不是阻抗越高越好。阻抗越高,DCR越大,有效信号损失越大。然而,通常没有一个完善的计算和选择基准。关键在于具体应用的有效性。120R-600R系列非常实用。
稍后,应考虑通过电流。如果用于电力线部分,应选择额定电压较高的规格。如果用于信号线部分,额定电压要求通常不高。其他磁珠通常具有较高的阻抗和较低的额定电压。磁珠的选择应根据实际情况进行。例如,对于3.3V和300毫安的电源,磁珠报价,规定3.3V不能低于3.0V。那么磁珠的DC电阻DCR应该低于1R。在这种情况下,通常选择0.5R来避免3位数漂移。
承前:从去耦半径出发,通过去耦半径的计算,让大家直观的看到我们常见的电容的“有效范围”问题。
本节:讨论滤波电容的位置与PDN阻抗的关系,提出“全局电容”与“局部电容”的概念。能看到当电容呈现“全局特性”的时候,穿线磁珠报价,电容的位置其实没有想象中那么重要。
启后:多层板设计的时候,电容倾向于呈现“全局特性”,“电源加磁珠”的设计方法,会影响电容在全局范围内起作用。同时电源种类太多,多孔磁珠报价,还会带来其他设计问题。
通过上一篇文章,我们知道平常“耳熟能详”的电容去耦半径理论,对PCB设计其实没有什么指导意义。0.1uf的电容去耦半径足够大,设计中参考这个值没有用处,工程师还是会“尽量”把0.1uf电容靠近芯片的电源管教放置。PCB设计师需要更有效的理论来指导电容的布局设计。
既然简单的用四分之一波长理论推算的电容去耦半径不起作用,那么电容放置得离芯片电源管脚比较远,还会有哪些影响呢?很多人都答对了,影响安装电感。
DC电阻(mohm):直流电流通过磁珠时磁珠的电阻值。
额定电流(mA):表示磁珠正常工作时允许电流。
阻抗[Z]@ 100兆赫兹(欧姆):这是指交流阻抗。
阻抗-频率特性:描述阻抗值随频率变化的曲线。
电阻-频率特性:描述电阻值随频率变化的曲线
感抗-频率特性:描述感抗随频率变化的曲线。
铁氧体芯片珠
尺寸:1005 (0402)1608(0603)2012(0805)
产品规格命名方法:
CMBM(CMBH) 1005/1608/2012 G 601标准普尔
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